技術(shù)編號(hào)：7229604
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，更具體地涉及熔絲及其制造方法，其采用熔絲元件，該元件利用現(xiàn)今的集成電路工作電壓來電編程。背景技術(shù) 過去，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)陣列的修理通過如下完成以冗余字線或位絨替代損壞字線或位線，同時(shí)使用激光斷開導(dǎo)電材料制成的電路熔絲。隨著器件持續(xù)小型化，這些激光熔絲的相對(duì)尺寸受到采用的激光的波長(zhǎng)限制。因此，激光熔絲的尺寸不能無窮盡地收縮。這樣，由于實(shí)現(xiàn)熔化和避免對(duì)相鄰電路破壞所需要的硅空間，更難于實(shí)現(xiàn)燒蝕激光熔斷熔絲。而...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。