技術(shù)編號:7222766
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明針對半導(dǎo)體器件的制造,尤其針對用于集成電路器件的 金屬化制造。背景技術(shù)本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體器件的金屬化互連的形成,尤其涉及形 成在半導(dǎo)體表面上的接觸的形成,所述接觸與基于銅的金屬構(gòu)成的 金屬化相接合。在當(dāng)前實(shí)踐的工藝中,將本地互連溝槽蝕刻在沉積 于具有有源器件的襯底上的第 一 絕緣層中。該蝕刻的溝槽填充有襯 墊/鴒核,以與襯底器件的某些部分相接觸,并且被拋光成與第一絕緣層共面,以形成本地互連(MC)。沉積第二絕緣層并且其中蝕刻有柱體(stud)接觸孔...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。