技術(shù)編號：7222600
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及從初始晶片開始的薄膜制造，包括以下步驟通過初始 晶片的其中一個表面植入原子核種，從而在其中確定的深度處形成掩埋植入(buriedimplanted)區(qū)，然后由晶片的植入表面和該植入?yún)^(qū)來對要制 造的薄膜進行劃界。該技術(shù)尤其用于通過在所述植入處理后進行以下步驟(由圖1A和 IB所示)剝離所述薄膜在晶片10的植入表面上將其鍵合到接收基板20;以及提供能量(通常為熱能和/或機械能)，從而從植入?yún)^(qū)12中分離出薄 膜15 (該步驟還被稱作Smart-Cut⑧...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。