技術(shù)編號(hào)：7215739
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種，特別是一種以單一種類摻質(zhì)。背景技術(shù)在高密度的集成電路的制造中，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)電晶體(MOSFET)技術(shù)是其特征在于，最重要的技術(shù)之一。當(dāng)元件尺寸日趨微小化，源極與漏極的接合深度必須越作越淺。不過淺接合深度必須對(duì)應(yīng)高的摻質(zhì)濃度，而高的摻質(zhì)濃度卻會(huì)造成元件通道鄰近漏極的電場(chǎng)強(qiáng)度升高。高電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)引起元件通道中的電子獲得能量并射入柵極氧化層中。這種現(xiàn)象即為熱電子效應(yīng)。熱電子效應(yīng)會(huì)造成元件失效減低元件的可靠度。一種解決元件通道鄰近漏極的電...
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