技術編號：7215033
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件的制造方法，特別涉及一種互補型金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器的制造方法。本發(fā)明尤其涉及由金屬線層形成焊盤后的工藝。背景技術 CMOS圖像傳感器的特性取決于光電二極管接收外部光的靈敏度。該靈敏度主要由微透鏡和光電二極管之間的距離、以及薄膜特性決定。與完全反射所有光的金屬層不同，現(xiàn)有的像素塊的鈍化氮化物較之鈍化氧化物通常阻擋并反射相當大部分的光。相應地，COMS圖像傳感器的靈敏度退化。另一方面，在現(xiàn)有的CMOS圖像傳感器中利用氫...
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