技術(shù)編號：7213490
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及，更具體涉及，其中可以防止對控制柵極和浮動?xùn)艠O形成時所暴露的半導(dǎo)體襯底區(qū)域側(cè)壁的損害。背景技術(shù) NAND快閃存儲器件通過Fowler-Nordheim隧穿(FN)將電子注入浮動?xùn)艠O中來執(zhí)行數(shù)據(jù)程序。NAND快閃存儲器件提供大容量和高集成水平。NAND快閃存儲器件包括大量單元塊。每一個單元塊包括多個單元串(strings)，其中用于存儲數(shù)據(jù)的多個單元被串聯(lián)以形成一個串，并且漏極選擇晶體管和源極選擇晶體管分別形成在單元串和漏極之間以及單元串和源極...
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