技術(shù)編號：7213155
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，特別是涉及一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。 背景技術(shù)發(fā)光二極管(LED)因具有低耗電、體積小、壽命長以及易于安裝的優(yōu) 勢而被廣泛應(yīng)用。對于發(fā)光二極管的研究，目前面臨兩個重要課題， 一是 如何提高發(fā)光二極管的亮度，二是如何降低發(fā)光二極管的制造成本。由于缺乏氮化鎵的單晶襯底，使得氮化鎵目前只能生長在藍寶石上。 硅(Si)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎂(MgO)均屬于異質(zhì)結(jié)構(gòu) (hetero-structure)外延生長方式。因...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。