技術(shù)編號(hào)：7211270
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制作方法，尤其是一種SONOS快閃存儲(chǔ)器的制作方法。背景技術(shù)通常，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ) 器，易失性存儲(chǔ)器易于在電源中斷時(shí)丟失其數(shù)據(jù)，而非易失性存儲(chǔ)器即使在 電中斷時(shí)仍可保存其數(shù)據(jù)。與其它的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)(例如，磁盤驅(qū)動(dòng)器) 相比，非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器相對(duì)較小。因此，非易失性存儲(chǔ)器已廣泛地應(yīng) 用于移動(dòng)通信系統(tǒng)、存儲(chǔ)卡等。近來(lái)，已經(jīng)提出了具有硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)結(jié)構(gòu) 的非易失性...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。