技術編號：7209276
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體基板的制造方法、半導體基板、電子器件的制造方法、及反應裝置。背景技術近年來，人們正在研發(fā)在活性區(qū)域中使用GaAs系等化合物半導體的各種高功能電子器件。因為上述化合物半導體的結晶性對電子器件的性能有很大影響，所以一直尋求形成結晶性優(yōu)良的化合物半導體的方法。例如，在制造在活性區(qū)域采用GaAs系的化合物半導體的電子器件時，通過使晶體薄膜在能夠與上述化合物半導體晶格匹配的GaAs基板上或者Ge基板等上外延生長，能夠獲得優(yōu)質的晶體薄膜。例如，專利文獻...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。