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技術(shù)編號：7208492

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復(fù)合襯底上生長的半導(dǎo)體發(fā)光器件背景技術(shù)包括發(fā)光二極管(LED)、諧振腔發(fā)光二極管(RCLED)、垂直腔激光二極管(VCSEL) 和邊發(fā)射激光器的半導(dǎo)體發(fā)光器件處于當(dāng)前可獲得的最有效的光源之中。能夠跨可見光譜工作的高亮度發(fā)光器件的制造中當(dāng)前引起興趣的材料系統(tǒng)包括III-V族半導(dǎo)體，尤其是也稱為III族氮化物材料的鎵、鋁、銦和氮的二元、三元和四元合金。典型地，III族氮化物發(fā)光器件通過用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(M0CVD)、分子束外延(MBE)或者其他外延技術(shù)在...
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