技術(shù)編號：7204944
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及GaN基半導體光器件、GaN基半導體光器件的制作方法、外延晶片及 GaN基半導體膜的生長方法。背景技術(shù)專利文獻1中記載了一種發(fā)光二極管。在該發(fā)光二極管中，襯底表面的偏離角在 30度 50度、80度 100度及120度 150度的范圍內(nèi)。在這樣的角度范圍內(nèi)，發(fā)光層中 的壓電電場與自發(fā)極化所產(chǎn)生的內(nèi)部電場的和為接近于零的較小的值。另外，非專利文獻 1 3中，記載了 GaN基半導體的發(fā)光二極管。非專利文獻1的發(fā)光二極管在偏離角為58 度的GaN襯底上制...
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