技術(shù)編號(hào):7182305
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制造,尤其涉及一種克服鉬(Mo)基金屬柵疊層結(jié) 構(gòu)制備中Mo與硅反應(yīng)的方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的特征尺寸進(jìn)入到45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以后,為了減小柵隧穿電流,降 低器件的功耗,并徹底消除多晶硅耗盡效應(yīng)和PM0SFET (P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng) 晶體管)中B擴(kuò)散引起的可靠性問(wèn)題,緩解費(fèi)米能級(jí)釘扎效應(yīng),采用高K (介電常數(shù))/金屬 柵材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的Si02/poly (多晶硅)結(jié)構(gòu)已經(jīng)成為了必然的選擇。雖然高K、金屬柵材 料的制備問(wèn)題已...
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