技術(shù)編號：7181720
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件及工藝制造方法，特別是取消通常的門極-陰極間的氧化層保護而采用全面玻璃鈍化保護的單向、雙向可控硅功率器件及其制造方法。屬于微 電子。背景技術(shù)現(xiàn)在的單向、雙向可控硅功率器件如圖1，圖2，圖3所示，主要有N-襯底層1、P+ 擴散層2、氧化層3、N+擴散層4、玻璃鈍化層5、門極G、陰極Tl、陽極T2組成。門極G和陰 極Tl構(gòu)成表面金屬部分，陽極T2構(gòu)成背面金屬部分， 一部分的P+對通擴散區(qū)構(gòu)成P-N隔 離、玻璃鈍化層5形成臺面凹槽內(nèi)的P-...
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