技術編號：7180219
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體集成電路制造領域，特別是涉及一種BiCMOS工藝中的寄生垂 直型PNP三極管，本發(fā)明還涉及該BiCMOS工藝中的寄生垂直型PNP三極管的制造方法。背景技術現(xiàn)有BiCMOS工藝中的寄生三極管采用高摻雜的集電區(qū)埋層，以降低集電區(qū)電 阻，同時需要高溫和長時間的爐管退火，以驅動雜質擴散的更深以減小埋層與硅襯底間的 電容；采用濃度大于lel5cm-2的高濃度N型注入，連接集電區(qū)埋層，形成集電極引出端 (collector pick-up)。集電區(qū)埋層...
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