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技術(shù)編號(hào)：7170218

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其是涉及一種LDMOS晶體管及其制作方法。背景技術(shù)與常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(Lateral DiffusedMetal Oxide Semiconductor, LDMOS)晶體管在關(guān)鍵的器件特性方面,如增益、線性度以及散熱性能等方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)，因此得到了廣泛應(yīng)用。擊穿電壓高也是LDMOS晶體管的一個(gè)重要特性，因此，LDMOS晶體管常應(yīng)用于高壓器件中?，F(xiàn)有技術(shù)中公開(kāi)一種η型LDMOS晶體管結(jié)構(gòu)，如圖1所...
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