技術(shù)編號:7170050
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù),特別涉及一種。背景技術(shù)隨著IC技術(shù)的發(fā)展,器件尺寸越來越小,RC延遲對器件開啟速度影響越來越大。為解決RC延遲的問題,一方面,采用電阻率小的金屬銅取代電阻率大的金屬鋁形成金屬連線,以減小互連電阻;另一方面,采用具有低介電常數(shù)的材料來隔離金屬互連線,以減小金屬互連線之間的電容?,F(xiàn)有的如下所述參考圖1,提供半導(dǎo)體襯底10,所述半導(dǎo)體襯底10上形成有如晶體管、電容器、導(dǎo)電插塞等結(jié)構(gòu);在所述半導(dǎo)體襯底10上形成刻蝕阻擋層20 ;在所述刻蝕...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。