技術(shù)編號：7169158
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在化學(xué)機械拋光由硅組成的半導(dǎo)體晶片之后立即對該半導(dǎo)體晶片清潔去除拋光劑殘余物的方法。背景技術(shù)通常對由硅組成的半導(dǎo)體晶片實施化學(xué)機械拋光(CMP)以使半導(dǎo)體晶片的一個或兩個面光滑化。在拋光之后，半導(dǎo)體晶片被拋光劑的殘余物污染，并且必須加以清潔。必須盡可能迅速地去除該殘余物，這是因為其會進攻半導(dǎo)體晶片的敏感表面，并且必需盡可能完全地加以去除，這是因為留在經(jīng)清潔的表面上的顆粒會導(dǎo)致表面缺陷，之后這些表面缺陷無法通過清潔加以去除。此外，出于經(jīng)濟方面的原因...
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