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技術(shù)編號(hào)：7168366

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本發(fā)明涉及一種碲化鎘(CdTe)及其薄膜太陽能電池的制備，特別涉及一種鹵素?fù)诫s締化鎘的制備方法、一種齒素?fù)诫s締化鎘薄膜太陽能電池及其制備方法。背景技術(shù)I1-VI族半導(dǎo)體材料CdTe，其禁帶寬度為1.46eV，為直接躍遷型，與太陽光譜匹配較好，是構(gòu)造光伏電池良好的吸收體材料，也是性能優(yōu)良的各種光敏器件及可見顯示系統(tǒng)的材料。CdTe被應(yīng)用于LEDs、光子學(xué)材料、生物標(biāo)記、光譜分析、CO2激光器的Q調(diào)制、紅外調(diào)制器、HgxCdhTe襯底、紅外窗場致發(fā)光器件、紅外...
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