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技術(shù)編號(hào)：7164815

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本發(fā)明涉及一種電力控制中使用的絕緣柵型半導(dǎo)體裝置，特別涉及一種開關(guān)用功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)或IGBT(絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等的MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)柵極(gate)元件。背景技術(shù) 開關(guān)電源等電源電路的小型化對(duì)提高開關(guān)頻率有效。即，對(duì)減小電源電路內(nèi)的電感或電容等無源元件有效。但是，如果提高開關(guān)的頻率，則會(huì)增加MOSFET或者IGBT等開關(guān)元件的開關(guān)損失。開關(guān)損失的增加會(huì)招致電源功率的低下。因此，電源電路的小型化必須降低開關(guān)元件的...
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