技術(shù)編號：7161111
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，功率器件(Power Device)作為一種新型器件，被廣泛應(yīng)用于如磁盤驅(qū)動、汽車電子等領(lǐng)域。功率器件需要能夠承受較大的電壓、電流以及功率負(fù)載。而現(xiàn)有的MOS晶體管等器件無法滿足上述需求，因此，為了滿足應(yīng)用的需要，各種功率器件成為關(guān)注的焦點(diǎn)。為了提高功率器件的交頻特性，目前較為普遍的一種方法就是在功率晶體管的芯片上并聯(lián)一個(gè)肖特基二極管，即在功率晶體管內(nèi)集成一個(gè)肖特基二極管。在公開號為 US7...
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