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一種淀積摻氮碳化硅薄膜的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7160955

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及。 背景技術(shù)隨著集成電路中半導(dǎo)體關(guān)鍵尺寸的逐漸縮小,其集成度在不斷的提高,后段的互聯(lián)材料也逐漸由鋁過(guò)渡到了銅;由于銅較鋁具有更低的電阻率和更高的抗電遷移能力,因此,其在深亞微米技術(shù)中得到了廣泛的應(yīng)用。伴隨著銅的應(yīng)用,為了降低互連結(jié)構(gòu)中的寄生電容,具有低介電常數(shù)(Low-K)的材料得到普遍的應(yīng)用和發(fā)展。但是,低介電常數(shù)材料通常比較疏松,并且與銅導(dǎo)線的粘結(jié)性能較差,在現(xiàn)有技術(shù)中,通常會(huì)在銅導(dǎo)線與低介電常數(shù)薄膜之間淀積一層銅介電...
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