技術(shù)編號：7159609
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，特別涉及用RTP(快速熱處理)系統(tǒng)對半導(dǎo)體晶片有效進(jìn)行熱處理的方法。用RTP設(shè)備代替襯底溫度較慢升高和降低的成批熱處理設(shè)備進(jìn)行熱處理，熱處理中使用可以按每秒鐘10℃的速度升高溫度的RTP設(shè)備。按此方式，可以用離子注入和熱處理形成淺結(jié)。用RTP設(shè)備的情況下，各種技術(shù)都可以用在熱處理的方法和設(shè)備中，以使半導(dǎo)體晶片的面內(nèi)溫度均勻。例如，日本特許公開No.6-260426公開了以下的方法和設(shè)備。即，在多個不同的點設(shè)置用高溫度計測得的溫度，例如，在半導(dǎo)體...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。