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一種基于體電場調(diào)制的ldmos器件的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:7158895

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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件設(shè)計,具體涉及一種基于體電場調(diào)制的LDMOS器件。背景技術(shù)LDMOS(Lateral Double-diffused M0SFET,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件由于源、柵和漏三個電極均在硅片的表面,易與集成電路中其他器件集成,因此常被廣泛應(yīng)用于高壓功率集成電路(PIC)中,以滿足耐高壓、實現(xiàn)功率控制等方面的要求;與晶體管相比,LDMOS在關(guān)鍵的器件特性方面,如增益、線性度、開關(guān)性能、散熱性能以及減少級數(shù)等方面具有明顯的優(yōu)勢。眾所周知,...
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