技術(shù)編號:7156238
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體制程,特別是有關(guān)于一種瓶型渠溝電容器(bottle-shaped trench capacitor)的制程,更特別是一種。背景技術(shù) 動態(tài)隨機存取內(nèi)存(Dynamic Random Access Memory,以下簡稱為DRAM)是以記憶胞(memory cell)內(nèi)電容器的帶電荷(charging)狀態(tài)來儲存數(shù)據(jù)。然而隨著DRAM體積的縮小化,深渠溝型(deep trench type)電容器便被廣泛地應(yīng)用在DRAM中。然而,為了要...
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