技術(shù)編號:7147677
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及磁電阻存儲器,具體涉及被設(shè)計成不需要隔離器件的MRAM陣列結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 薄膜磁電阻隨機存取存儲器(MRAM)能夠采用多種存儲單元實施方式,包括磁隧道結(jié)(MTJ)單元來制造。由于MTJ單元最易于制造和使用,從而將其用作本發(fā)明的基本示例,但應當理解,各種構(gòu)思還可應用于其他MRAM單元和陣列。MTJ單元主要由一對磁層以及夾在之間的絕緣層組成。其中一個磁層具有固定的磁矢量,另一磁層具有可變的磁矢量,且可變磁矢量與固定磁矢量或同向(aligned),或反...
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