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一種低溫低表面濃度高方阻擴(kuò)散工藝的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7146795

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本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池制造領(lǐng)域,涉及一種低溫低表面濃度高方阻擴(kuò)散工藝。背景技術(shù)太陽(yáng)能電池是通過(guò)光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。以光電效應(yīng)工作的薄膜式太陽(yáng)能電池為主流,太陽(yáng)光照在半導(dǎo)體p-n結(jié)上,能量大于硅禁帶寬度的光子形成新的空穴-電子對(duì),在p-n結(jié)電場(chǎng)的作用下,光生空穴由η區(qū)流向P區(qū),光生電子由P區(qū)流向η區(qū),接通電路后就形成電流。目前典型商業(yè)型太陽(yáng)能電池的方阻為55飛5 Ω/sq (單位為歐姆每方),而在良好歐姆接觸的前提下,更高的方阻意...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。

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