技術(shù)編號：7142039
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種襯底電極的修飾方法的方法，尤其涉及在半導(dǎo)體器件襯底功函數(shù)及其在有機(jī)電致發(fā)光器件，有機(jī)聚合物太陽能電池中和場致發(fā)射器件中的應(yīng)用。背景技術(shù)在過去的二十多年時間里，包括小分子和聚合物的有機(jī)半導(dǎo)體技術(shù)得到大量的關(guān)注，得益于有機(jī)材料的可調(diào)控性，聚合物半導(dǎo)體的重量輕，容易加工，可大面積加工等優(yōu)越性，越來越受到科研和工業(yè)界的青睞，其應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋了發(fā)光器件，太陽能電池器件，光探測器件，薄膜晶體管和電子記憶體等。當(dāng)這些器件的襯底部分需要用作陰極時，要求其必須具...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。