技術(shù)編號(hào)：7130859
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于InN-GaN基藍(lán)光半導(dǎo)體外延生長的MgIn2O4/MgAl2O4復(fù)合襯底材料及其制備方法。背景技術(shù) 以GaN為代表的寬帶隙III-V族化合物半導(dǎo)體材料正在受到越來越多的關(guān)注，它們將在藍(lán)、綠光發(fā)光二極管和激光二極管、高密度信息讀寫、水下通信、深水探測、激光打印、生物及醫(yī)學(xué)工程，以及超高速微電子器件和超高頻微波器件方面具有廣泛的應(yīng)用前景。由于GaN熔點(diǎn)高、硬度大、飽和蒸汽壓高，故要生長大尺寸的GaN體單晶需要高溫和高壓，波蘭高壓研究中心在1...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。