技術(shù)編號：7129780
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及ー種具有室溫鐵磁性的Ge-SiN復合薄膜材料，屬于半導體磁性納米材料制備。背景技術(shù)隨著納米技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了ー個橫跨半導體和磁性材料的新型研究方向ー自旋電子學。在自旋電子學中，電子是自旋的載體，可利用自旋進行信息的儲存和傳輸。研究結(jié)果表明，磁性半導體可實現(xiàn)高效率的自旋注入。但是，由于磁性元素本身在半導體的固溶 度不高，往往會有磁性雜質(zhì)的析出，而且磁性元素的摻雜容易形成第二相，因此不進行任何摻雜的純半導體的鐵磁性研究引起了研究者的興趣。目前這方面的...
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