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技術(shù)編號(hào)：7124678

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本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)及制造，特別涉及一種具有內(nèi)置二極管的IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)IGBT 結(jié)合了功率 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)及功率晶體管的優(yōu)點(diǎn)，具有工作頻率高，控制電路簡單，電流密度高，通態(tài)壓低等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于功率控制領(lǐng)域。在實(shí)際應(yīng)用中，IG...
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