技術(shù)編號:7119459
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及一種器件結(jié)構(gòu),特別涉及一種基于B⑶工藝的GCNMOS ESD (柵耦合電容N型金屬氧化物半導(dǎo)體,靜電放電)器件結(jié)構(gòu)。技術(shù)背景 隨著集成電路的發(fā)展,ESD (靜電放電)對于IC (集成電路)芯片的影響日益嚴重,特別是在B⑶工藝下,大多數(shù)工藝加入了硅化注入技術(shù),雖然大大降低了器件接觸電阻,但同時也降低了 ESD器件的可靠性。如何在不增加額外掩膜版在基礎(chǔ)上,設(shè)計出一種面積利用率高,ESD (靜電放電)電流能力強,低成本,又能避免BCD工藝下硅化注入...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。