技術(shù)編號：7115595
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明系關(guān)于一種具應(yīng)力吸收半導(dǎo)體層之半導(dǎo)體組件，及系關(guān)于其制造方法，及特別是關(guān)于具完全耗盡區(qū)的活動區(qū)域之次-100納米場效晶體管。背景技術(shù) 當半導(dǎo)體組件的發(fā)展持續(xù)，以改良集成密度之觀點甚至更小的特征尺寸為所欲的。然而，因為在半導(dǎo)體材料中有限的電荷載體移動性而達到某些限制。因為對在半導(dǎo)體晶體中電子及電洞的電荷載體移動性的上限系依據(jù)半導(dǎo)體晶體的物理性質(zhì)而定，在非常小半導(dǎo)體組件的特征尺寸之情況下，所需要電荷載體移動性無法被建立或是無法以足夠的準確度被建立。而且，...
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