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一種基于氧化鉍薄膜的電阻式隨機讀取存儲器的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:7113329

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本實用新型屬于非揮發(fā)性隨機讀取存儲器,涉及一種基于二氧化錫薄膜的電阻式隨機讀取存儲器。 背景技術(shù)近年來,日漸增長的便攜設(shè)備消費量使得非揮發(fā)性存儲器市場得到了迅速擴(kuò)大。閃存作為主流的非揮發(fā)性存儲器,其單元結(jié)構(gòu)由傳統(tǒng)的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)演變而來,具有成熟的制造工藝,占據(jù)非揮發(fā)性存儲器90%以上的市場份額,已廣泛地應(yīng)用于便攜設(shè)備的信息存儲。據(jù)統(tǒng)計,全球非揮發(fā)性閃存的容量在過去的十年間以每年翻一翻的速度增長,市場規(guī)模越來越大。但是,閃...
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