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技術(shù)編號(hào)：7107239

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本文中討論的實(shí)施方案涉及。背景技術(shù)通過利用氮化物半導(dǎo)體器件的如高飽和電子速度和寬帶隙等特性，已經(jīng)將氮化物半導(dǎo)體器件活躍地發(fā)展為高耐受電壓、高功率的半導(dǎo)體器件。已經(jīng)做了大量關(guān)于場效應(yīng)晶體管、特別是作為氮化物半導(dǎo)體器件的HEMT (高電子遷移率晶體管)的報(bào)道。特別地，使用 GaN作為電子傳輸層并且使用AlGaN作為電子供給層的AlGaN/GaN HEMT已經(jīng)引起注意。在 AlGaN/GaN HEMT中，在AlGaN中發(fā)生由于GaN與AlGaN之間的晶格常數(shù)的差...
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