技術(shù)編號:7104152
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件。背景技術(shù)第III-V族氮化物半導(dǎo)體已經(jīng)廣泛用于光學(xué)器件如藍(lán)色和綠色LED(發(fā)光二極管)、高速開關(guān)器件例如MOSFET (金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和HEMT (異質(zhì)結(jié)型場效應(yīng)晶體管)和照明設(shè)備或顯示設(shè)備的光源。具體而言,利用第III族氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光器件具有與可見光至紫外線的范圍對應(yīng)的直接過渡型帶隙,并且可以進(jìn)行高效發(fā)光。 氮化物半導(dǎo)體主要用于LED或LD (激光二極管),并且已經(jīng)連續(xù)進(jìn)行研究以改善氮化物半導(dǎo)體的制造工藝或發(fā)光效率...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。