技術(shù)編號：7099974
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功率器件，更確切地說，涉及改良的溝槽柵功率器件和其制造方法。背景技術(shù)圖I為傳統(tǒng)溝槽柵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 100的橫截面圖，該傳統(tǒng)MOSFET具有已知的物理和執(zhí)行特性以及，例如單元間距(cell pitch)、擊穿電壓能力、導(dǎo)通電阻(Rdson)、晶體管耐用度的局限。溝槽柵105延伸穿過P型阱106并且在n型外延層區(qū)104中終止。溝槽柵105包括溝槽側(cè)壁和底部內(nèi)襯的柵電介質(zhì)114，以及凹進(jìn)的柵極112。電介質(zhì)層116...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。