技術編號：7099203
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。一種具有復合緩沖層旳氮化鎵基高電子遷移率晶體管，屬于半導體器件領域，可以有效降低器件的泄漏電流和提高器件擊穿電壓。背景技術氮化鎵基高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)不但具有氮化鎵材料禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、電子飽和漂移速度高、耐高溫、抗輻射和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)異特性，同時氮化鎵材料可以與鋁鎵氮(AlGaN)等材料形成具有高濃度和高遷移率的二維電子氣溝道，因此特別適用于高壓、大功率和高溫應用，是電力電子應用最具潛力的晶體管之一。圖I為已有技術GaN...
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