技術(shù)編號(hào):7097017
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體器件的制造,并且更具體地涉及半導(dǎo)體裸片的扇出晶片級(jí)封裝的制造。背景技術(shù)扇出晶片級(jí)封裝是其中在較大區(qū)域內(nèi)重 新分布半導(dǎo)體裸片的接觸的封裝過程。圖I示出了封裝體上封裝體(PoP)組件100的橫截面圖,該組件包括扇出晶片級(jí)封裝體(FOffLP) 102和耦合到該FOWLP的多個(gè)附加的半導(dǎo)體器件104。FOffLP 102包括嵌入在模制化合物層(MCL) 108中的半導(dǎo)體裸片106,而第一重新分布層110定位在MCL的第一面111上,并且第二重新分...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。