技術(shù)編號(hào):7084856
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在結(jié)構(gòu)體的表面形成氮化物膜的等離子體氮化處理方法、等離子體氮化處理裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。背景技術(shù)在DRAM等半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中,在硅基板上形成柵極絕緣膜,在柵極絕緣膜上形成柵電極,以覆蓋柵電極的方式在柵極絕緣膜和柵電極的周?chē)纬山^緣層。在柵電極的電極部分使用例如含有多晶硅和鎢的層疊體。柵極絕緣層具有規(guī)定的閾值電壓。硅基板和柵電極的電極之間的電子的移動(dòng)通過(guò)柵極絕緣層進(jìn)行。具體而言,上述的電子的移動(dòng)通過(guò)在硅基板和柵電極的電極之間施加?xùn)艠O絕...
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