技術(shù)編號(hào)：7064701
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種低成本氮化鎵基發(fā)光二極管的制備方法，以解決目前發(fā)光二極管制備中存在的成本較高、襯底難以重復(fù)利用的技術(shù)問題。，利用表面石墨烯化的薄片狀TiC材料作為襯底材料，生長發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，外延結(jié)構(gòu)包括n型摻雜層、多量子阱發(fā)光層和p型摻雜層。本發(fā)明以表面石墨烯化的TiC材料作為襯底材料，利用石墨烯與外延層間弱的范德華力，依靠機(jī)械拉力實(shí)現(xiàn)襯底與外延結(jié)構(gòu)的分離，實(shí)現(xiàn)襯底的重復(fù)使用，降低了器件的制造成本。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及一種氮化鎵基發(fā)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。