技術(shù)編號(hào)：7064564
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開通過在CdTe薄膜和金屬背電極之間引入高功函數(shù)過渡金屬氧化物層，大大減少實(shí)現(xiàn)歐姆背接觸所需的Cu元素的量，同時(shí)，過渡金屬氧化物層起著阻擋金屬背電極中金屬原子向CdTe以及CdS/CdTe p-n結(jié)處擴(kuò)散的作用，提高了背接觸電極的穩(wěn)定性，保證了電池的高轉(zhuǎn)換效率和在使用過程中的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。專利說明背接觸層結(jié)構(gòu)及包含其的CdTe太陽(yáng)能電池 [0001]本公開屬于太陽(yáng)能光伏器件制備領(lǐng)域，特別涉及一種背接觸層結(jié)構(gòu)及包含其的CdTe太陽(yáng)能電池。 背景技術(shù)...
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