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技術(shù)編號(hào)：7061010

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本發(fā)明提供一種新的LED外延生長(zhǎng)方法，能有效提升LED外延的發(fā)光效率。該方法包括生長(zhǎng)N-GaN層的環(huán)節(jié)、生長(zhǎng)多量子阱層的環(huán)節(jié)、以及生長(zhǎng)P-GaN層的環(huán)節(jié)，所述多量子阱層為若干對(duì)AlxGa1-xN/InyGa1-yN的結(jié)構(gòu)，0＜x＜1，0＜y＜1；生長(zhǎng)多量子阱層的環(huán)節(jié)依次分為以下三個(gè)生長(zhǎng)階段第一階段對(duì)AlxGa1-xN量子壘進(jìn)行p型摻雜；第二階段對(duì)AlxGa1-xN量子壘不做摻雜；第三階段對(duì)AlxGa1-xN量子壘進(jìn)行n型摻雜；然后生長(zhǎng)摻雜p型AlGaN阻擋...
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