技術編號：7060397
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。下文中所公開的實施方案涉及制造半導體器件的方法以及半導體器件。背景技術作為氮化物半導體的GaN、AlN和InN或者其混合晶體具有大的帶隙，并且用于大功率電子器件、短波長發(fā)光器件或者其他這樣的器件。對于這些器件中的大功率電子器件，已經開發(fā)了與場效應晶體管(FET)、特別是高電子遷移率晶體管(HEMT)有關的技木。由這樣的氮化物半導體制成的HEMT用于大功率高效放大器、大功率開光器件或者其他這樣的器件。用于該目的的HEMT需要常斷并且具有高介電強度電壓。特別地...
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