技術(shù)編號(hào)：7057495
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，可提供一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。多個(gè)元件分離用絕緣體在所述半導(dǎo)體基板的表面區(qū)域中形成沿著所述半導(dǎo)體基板的表面延伸的被劃分的多個(gè)有源區(qū)。將隧道絕緣膜設(shè)在所述有源區(qū)上。將浮置柵電極設(shè)在所述隧道絕緣膜上。將柵間絕緣膜設(shè)在所述浮置柵電極上。將控制柵電極設(shè)在所述柵間絕緣膜上。源極區(qū)域及漏極區(qū)域分別在所述多個(gè)有源區(qū)上相互分離地形成。所述有源區(qū)各自在側(cè)面具有臺(tái)階，比所述臺(tái)階深的部分的寬度大于比所述臺(tái)階淺的部分的寬度。專利說明[0001]本申請(qǐng)基于20...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。