技術(shù)編號：7056266
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開一種高電子遷移率晶體管，包含一基板；一外延疊層位于基板上，包含第一區(qū)域及環(huán)繞第一區(qū)域的第二區(qū)域；一陣列電極結(jié)構(gòu)位于第一區(qū)域；以及多個第一電橋電連接至多個第二電極。陣列電極結(jié)構(gòu)包含多個第一電極位于外延疊層上，及多個第二電極位于外延疊層上并相鄰于多個第一電極。多個第一電橋其中之一位于兩個第二電極之間并橫跨多個第一電極其中之一。專利說明高電子遷移率晶體管 [0001] 本發(fā)明涉及一種高電子遷移率晶體管（HEMT)，特別是涉及一種具有空橋陣列 (A...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。