技術(shù)編號(hào):7054886
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,具體涉及一種縱向?qū)ǖ腉aN基MISFET器件及其制作方法。背景技術(shù)以GaN為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、異質(zhì)界面二維電子氣濃度高等優(yōu)良的材料性能特點(diǎn),相比于Si 材料,GaN更加適合制作大功率高容量、高開(kāi)關(guān)速度的電力電子器件。與傳統(tǒng)Si器件相比, GaN器件能承載更高的功率密度,具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率,可以使整個(gè)系統(tǒng)的體積和重量減少,從而降低系統(tǒng)成本。目前從GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。