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技術(shù)編號：7054618

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本申請公開了一種Mg擴(kuò)散的LED外延片、生長方法及LED結(jié)構(gòu)，該LED外延片結(jié)構(gòu)從下至上依次為襯底，GaN緩沖層，非摻雜GaN層，n型GaN層，多量子阱層，P型AlGaN層，在所述的P型AlGaN層上為漸變摻雜Mg的P型GaN層，所述的P型GaN層為進(jìn)行了Mg擴(kuò)散處理的GaN層。進(jìn)一步提供一種LED結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是在生長完一小段漸變摻雜Mg的p型GaN后停止生長，再通入大量的Mg對前段p型GaN進(jìn)行Mg的擴(kuò)散處理，通過擴(kuò)散的方式Mg更好地取代Ga位，同...
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