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技術(shù)編號：7053314

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本發(fā)明公開了一種適合于LED驅(qū)動電路的LDMOS結(jié)構(gòu)及其制造方法，以提高擊穿電壓，其中該LDMOS結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體60V?BCD工藝中的高壓器件領(lǐng)域，具體涉及一種帶金屬場板的LDMOS器件結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)在不改變器件尺寸，對導(dǎo)通電阻及飽和電流影響較小的情況下，大幅度提高了器件的擊穿電壓。該方法包括調(diào)整POLY和金屬場板尺寸及柵極的個(gè)數(shù)，使得器件性能參數(shù)得到較大改善。專利說明-種適合于LED驅(qū)動電路的LDMOS結(jié)構(gòu) [0001] 本發(fā)明涉及功率器件領(lǐng)域，尤...
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