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技術(shù)編號：7050514

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本發(fā)明提供了一種，包括提供在襯底中形成有由隔離區(qū)隔開的NMOS器件區(qū)域以及PMOS器件區(qū)域的硅片，其中在NMOS器件區(qū)域以及PMOS器件區(qū)域上形成有具有氮化硅側(cè)墻的柵極結(jié)構(gòu)；在襯底的NMOS器件區(qū)域上布置光刻掩膜，暴露PMOS器件區(qū)域；利用氮注入工藝和退火工藝對光刻掩膜暴露的PMOS器件區(qū)域的氮化硅側(cè)墻進(jìn)行側(cè)墻表面預(yù)處理；對經(jīng)過側(cè)墻表面預(yù)處理之后的PMOS器件區(qū)域進(jìn)行刻蝕以形成源漏區(qū)凹槽；通過選擇性外延生長填充刻蝕形成的源漏區(qū)凹槽以形成鍺硅源漏區(qū)。通過在蝕...
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