技術(shù)編號：7047723
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供了一種。該通過AlGaN電子阻擋層205和p型AlGaN層206的總厚度小于該電極層最底層金屬層的金屬材料的等離激元耦合距離的方式有效精確控制有源區(qū)到金屬等離激元的距離，消除了工藝工程中對有源區(qū)造成損傷的風險，提高了紫外發(fā)光二極管器件發(fā)光效率。專利說明[0001]本發(fā)明涉及光電子器件，尤其涉及一種。背景技術(shù)[0002]紫外發(fā)光二極管器件，因其在激發(fā)白光、生化探測、殺菌消毒、凈化環(huán)境、聚合物固化以及短距離安全通訊等諸多領(lǐng)域的巨大潛在應用價值而備受關(guān)...
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